Samsung прориває технологічні кордони: 286-шарова пам’ять 3D NAND вийде з Китаю
З осені 2022 року Сполучені Штати Америки запровадили обмеження на експорт до Китаю обладнання, яке дозволяє місцевим виробникам створювати пам’ять 3D NAND з кількістю шарів, що перевищує 128. Однак, компанії Samsung та SK hynix, чиї значні обсяги виробництва пам’яті зосереджені саме в Китаї, отримали винятки з цих правил. Це дозволить Samsung вже наступного року розпочати виробництво 286-шарової пам’яті 3D NAND на своєму підприємстві в місті Сіань.
Джерело зображення: Samsung Electronics
Південнокорейські техногіганти, звісно, надають американській стороні гарантії безпеки, що обладнання, яке постачається на їхні китайські заводи, не потрапить до третіх рук. Як повідомляє TrendForce, посилаючись на видання Sisa Journal, наприкінці березня Samsung розпочала на своєму китайському заводі в Сіані масовий випуск 236-шарової пам’яті 3D NAND. Наразі на цій виробничій лінії відбувається поступове згортання виробництва застарілої 128-шарової пам’яті, аби підготуватися до запуску масового виробництва 286-шарової пам’яті вже наступного року. Певний час ці два типи пам’яті співіснуватимуть на цій площадці. Варто зазначити, що близько 40% усіх обсягів 3D NAND, які Samsung постачає на глобальний ринок, виробляються саме в Сіані.
Майбутні інновації та конкурентне середовище
Тим часом, на своїй батьківщині, в Південній Кореї, Samsung вже активно готується до запуску виробництва пам’яті нового покоління, яка перевищить позначку в 400 шарів. Очікується, що це виробництво стартує у другій половині поточного року. Конкурент, компанія SK hynix, планує протягом найближчих двох років розпочати серійне виробництво 300-шарової пам’яті з використанням технології гібридного з’єднання. Наразі SK hynix випускає 321-шарову пам’ять за класичною методикою. Незважаючи на цільові американські санкції, китайська компанія YMTC вже освоїла випуск 270-шарової пам’яті. Ба більше, нещодавно Huawei представила інноваційний підхід до збільшення ємності твердотільних накопичувачів без необхідності нарощувати кількість шарів у пам’яті 3D NAND.
- Samsung: активно розширює виробництво 3D NAND у Китаї, готуючись до випуску 286-шарової пам’яті.
- SK hynix: планує випуск 300-шарової пам’яті з новими технологіями.
- YMTC: продовжує розвивати власні технології в умовах обмежень.
- Huawei: експериментує з альтернативними методами збільшення ємності накопичувачів.
Порада від Soft Portal:
Ці технологічні досягнення свідчать про стрімкий розвиток галузі зберігання даних. Для користувачів це означає потенційне зниження вартості накопичувачів та значне збільшення їхньої швидкості й обсягу в найближчому майбутньому. Такі оновлення в технологіях виробництва пам’яті напряму впливають на продуктивність комп’ютерів, смартфонів та інших пристроїв, якими ми користуємося щодня.