SK hynix випереджає конкурентів: революційна 3D-DRAM для майбутнього ШІ
Провідний виробник напівпровідників SK hynix активно просуває розробку інноваційної технології DRAM зі складеною 3D-архітектурою, де модулі пам’яті розміщуються безпосередньо поверх логічного кристала (3D-Stacked DRAM-on-Logic). Цей новаторський підхід призначений для забезпечення найвищої продуктивності обладнання наступного покоління, зокрема для систем штучного інтелекту, включаючи мобільні пристрої. Компанія вже розпочала активний пошук кваліфікованих інженерів, що спеціалізуються на цій передовій технології, через свій американський підрозділ, розташований у Сан-Хосе. SK hynix також підтвердила укладення угоди з ключовим клієнтом щодо спільної розробки рішень на базі цієї революційної технології, про що повідомляє видання ZDNet.
Джерело зображення: skhynix.com
Цей крок означає вихід SK hynix на новий етап підготовки до комерціалізації своєї 3D-Stacked DRAM-технології. Згідно з опублікованими вакансіями, робота над спільною розробкою кристалів 3D-Stacked DRAM-on-Logic, що передбачає вертикальну інтеграцію пам’яті безпосередньо на системі-на-кристалі, буде здійснюватися в тісній співпраці з американським замовником. На відміну від традиційного підходу Package-on-Package (PoP), нова методика забезпечує значно коротші шляхи передачі даних та збільшену кількість каналів введення-виведення на тій самій площі. Це, у свою чергу, призводить до мінімізації затримок, підвищення енергоефективності та оптимального використання простору.
Ключові переваги 3D-Stacked DRAM-on-Logic:
- Скорочення шляхів передачі даних.
- Збільшення кількості каналів введення-виведення.
- Зменшення затримок.
- Підвищення енергоефективності.
- Оптимізація використання простору.
Зазначена технологія є вкрай важливою для систем штучного інтелекту, які вимагають високої пропускної здатності пам’яті та мінімального енергоспоживання. Традиційні рішення PoP вже не відповідають цим зростаючим потребам. Одним з найбільш перспективних напрямків застосування нової технології вважаються мобільні процесори, де часто використовуються передові технологічні процеси та методи пакування. Серед провідних розробників таких систем виділяються Apple та Qualcomm.
Інформація про активну розробку цієї технології повністю відповідає планам SK hynix, представленим на цьогорічному технологічному симпозіумі TSMC. Президент і директор з розвитку SK hynix Хьон Ан (Hyun Ahn) наголосив, що прогрес у сфері обладнання для ШІ стримується поточними обмеженнями технологій пам’яті, що вимагає розробки нових архітектур, а не лише поступових удосконалень. За його словами, SK hynix спільно з TSMC має намір інтегрувати передові логічні процеси в базові кристали HBM4, розширити це рішення на високошвидкісну флеш-пам’ять (HBF), а також застосувати 3D-архітектуру DRAM поверх логічного кристала. Подальша інтеграція пам’яті з логікою, як очікується, значно підвищить продуктивність та енергоефективність.
Тим часом, компанія Samsung також активно досліджує можливості 3D DRAM нового покоління. Нещодавно Samsung опублікувала спільну наукову статтю з imec, KU Leuven та Lam Research, присвячену архітектурі монолітної 3D DRAM з використанням каналів на основі оксидів напівпровідників. Наразі ці дослідження перебувають на стадії моделювання, і конкретних планів щодо виведення технології на ринок ще не озвучено.
Порада від Soft Portal:
Ця новина є надзвичайно важливою для користувачів, які цікавляться розвитком технологій штучного інтелекту та мобільних пристроїв. Впровадження 3D-Stacked DRAM-on-Logic від SK hynix обіцяє значне прискорення роботи додатків, покращену енергоефективність та відкриває нові можливості для інновацій у сферах, що активно використовують ресурсомісткі обчислення. Слідкуйте за подальшими оновленнями щодо впровадження цієї технології у майбутніх смартфонах та інших пристроях.