Революція в мікрочіпах: Samsung планує освоїти 1-нм техпроцес за допомогою High-NA EUV-літографії до 2030 року
Технології EUV-літографії з високою числовою апертурою (High-NA), вартість яких наразі сягає 400 мільйонів доларів за одиницю, мають на меті дозволити виробникам чипів перейти до виробництва нанометрових норм, що перевищують 2 нм, а також прискорити обробку кремнієвих пластин. За даними південнокорейських джерел, Samsung Electronics планує впровадити це обладнання у масове виробництво не раніше 2030 року, одночасно прагнучи освоїти 1-нм техпроцес.
Джерело зображення: ASML
Під час нещодавньої презентації, як повідомляє ZDNet, представники Samsung Electronics визнали, що використання обладнання High-NA EUV у масовому виробництві мікросхем стане економічно виправданим не раніше 2030 року. Саме тоді компанія планує розпочати виробництво 1-нм компонентів. Початково Samsung розглядала можливість впровадження цієї технології для 2-нм та 1,4-нм техпроцесів, однак необхідність подальшого вдосконалення технологій призвела до висновку, що це обладнання буде найбільш доцільним для випуску чипів за нормами A10 і нижче.
Графік впровадження передових техпроцесів Samsung
- Samsung вже має досвід випуску чипів за 2-нм технологією.
- 1,4-нм техпроцес (SF1.4) планується до масового виробництва у 2029 році.
- До 2030 року послідовно будуть освоєні техпроцеси SF1.4+ та A10 (1 нм).
Для повноцінного використання обладнання High-NA EUV у масовому виробництві потрібні відповідні оснащення та витратні матеріали, до чого галузь поки що не повністю готова. На початкових етапах традиційна EUV-літографія та новітня High-NA будуть співіснувати на одному виробничому майданчику.
Наразі Samsung вже має два найсучасніші літографічні сканери від ASML для роботи з High-NA EUV, встановлені в кампусі компанії у місті Хвасон, Південна Корея. Активне впровадження такого обладнання в масове виробництво значно збільшило б капітальні витрати Samsung. На даний момент компанія зосереджена на досягненні беззбитковості свого контрактного бізнесу, який також потребує значних замовлень від нових клієнтів. В таких умовах поспішати з освоєнням High-NA EUV немає особливого сенсу. Натомість, технологія травлення кремнієвих пластин ALE (Atomic Layer Etching) поступово набирає обертів.
Конкурентне середовище та стратегії інших гравців
- Intel вже почала тестувати обладнання класу High-NA EUV для виробництва частини процесорів Panther Lake за технологією Intel 18A.
- TSMC відкладає перехід на таке обладнання щонайменше до 2029 року, плануючи впровадити техпроцеси A12 та A13 без нього, зважаючи на високу вартість.
- SK hynix вже експериментує з High-NA EUV у виробництві мікросхем пам’яті, прагнучи отримати перевагу на ранніх етапах.
- Паралельно використовуються інші підходи, такі як фотомаски з фазовим зміщенням, для підвищення роздільної здатності літографічного обладнання.
Представники Samsung вважають, що випуск чипів за техпроцесами до 1,4-нм та 1 нм можливий із використанням обладнання з числовою апертурою 0,33, як і раніше. Однак перехід на апертуру 0,55 стане доцільним лише після досягнення цього рубежу.
Примітка: Вартість обладнання $400 млн становить приблизно 16 000 000 ₴ за поточним курсом.
Зарубіжні компанії ASML, Intel, TSMC, SK hynix працюють на глобальному ринку, їх продукція та послуги доступні й в Україні, хоча пряма присутність виробничих потужностей може відрізнятися.
Порада від Soft Portal:
Ця новина є надзвичайно важливою для розуміння майбутнього напівпровідникової індустрії. Для користувачів це означає, що вже через кілька років ми можемо очікувати появи ще потужніших, енергоефективніших та менших за розміром електронних пристроїв, від смартфонів до суперкомп’ютерів. Освоєння Samsung 1-нм техпроцесу та впровадження High-NA EUV-літографії відкриває нову еру в мініатюризації та продуктивності електроніки.